職位描述
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崗位職責:
1、 負責DRAM存儲核心電路的架構確定、設計、仿真及可測試性設計;
2、 負責模塊級與全芯片級功能及性能的驗證分析、調試和改進;
3、 協助版圖設計,完成floorplan、信號與power的布局布線設計,并檢查版圖設計質量;
4、 完成設計驗證流程,確保產品性能、功耗及可靠性指標;
5、 協助測試工程師完成芯片測試、性能評估和問題分析;
6、 支持完成各類型存儲架構和應用的評估規劃工作;
崗位要求:
1、 微電子或電子工程相關專業,具備3年及以上存儲相關的電路設計經驗;
2、 理解半導體器件物理原理及CMOS 工藝,精通數字與模擬電路理論;
3、 熟悉EDA工具,如Spectre、Hspice、Virtuoso、Calibre等;
4、 具備DRAM電路工作原理相關知識;具備DDR、LPDDR、3D DRAM產品設計經驗者優先;
5、 具備全定制混合電路設計、驗證與優化經驗;
6、 具有良好的團隊合作精神,具備快速學習能力及獨立工作能力。
工作地點
地址:西安雁塔區西安陜西省西安市高新6路38號騰飛創新中心A座4層
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職位發布者
紫光國芯..HR
西安紫光國芯半導體有限公司
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電子技術·半導體·集成電路
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200-499人
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公司性質未知
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陜西省西安市高新6路38號騰飛創新中心a座4層

應屆畢業生
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